γ源(M,R)
主要技術參數：單層或雙層包殼，活性部分是參入Cs-137的球狀粉末或沸石顆粒或熔融玻璃。從該源出廠之日起，IGI-C-4源的使用壽命是5年，其它源使用壽命為7年。

應用：γ射線照相，輻照裝置，過程控制用放射性同位素儀器。

注意：內外包殼用氬弧焊焊接。源IGI-C-3-1-- IGI-C-3-11，IGI-C-4-1-- IGI-C-4-6，的質控符合ISO /99/C 65545（ISO2919）。 源IGI-C-5-1和 IGI-C-10-1的質控符合ISO /99/C 65546。源IGI-C-5-2-- IGI-C-9-1，IGI-C-11-1-- IGI-C-22-1的質控符合ISO /99/E 65546。源的泄漏測試是根據ISO9978來做的，符合限值185Bq（約5nCi）。
源設計保證適合特殊型號放射性材料。