β放射源( I )
半衰期：12.34年

β粒子能量：
βmax    18.59keV
β           5.69keV

主要技術參數：
不銹鋼，銅或鉬背板，表面鍍一層吸收了H-3的鈦。活性部分被鍍覆一層二氧化硅或鋁膜。
背板形狀多種多樣，可以定制。
客戶提供襯托也可以。

1  面源
 
活性層面活度最高0.2Ci/cm2，離子流在2π離子腔中測量值最高1.2×10-8A/cm2.

面源1

*公差：±10%
推薦使用壽命：5年