β源(M,R)
主要技術(shù)參數(shù):源組成部分包括一個(gè)蓋子,一個(gè)主體和一個(gè)嵌入源裝置的上釉的插件, Pm-147活性材料沉積在插件的工作面上并用二氧化鈦或鍍鉻保護(hù)層固定起來(lái)。主體和蓋子通過(guò)點(diǎn)焊連接。該源設(shè)計(jì)使用壽命為從出廠之日起5年。
應(yīng)用:同位素儀器,離子生成器,靜電消除器
源編碼 | 源尺寸(活性面),mm | 表面β發(fā)射率,S-1 | 0.5m(不超過(guò))處X射線和γ輻射劑量率, A/kg | 最大活度,Bq(Ci) | ||||
直徑,D(d) | 長(zhǎng),L(l) | 寬,W(w) | 高,H | |||||
1 | BIP-10 | 20(10) | 3 | (1.25-20)·107 | 6.2·10-11 | 1.2·109(3.24·10-2) | ||
BIP-20 | 30(20) | (1.25-50)·107 | 27·10-11 | 2.8·109(7.6·10-2) | ||||
BIP-30 | 40(30) | (1.25- 63)·107 | 54·10-11 | 5.9·109(15.9·10-2) | ||||
BIP-40 | 50(40) | (1.25-80)·107 | 77·10-11 | 1.1·109(2.97·10-1) | ||||
BIP-50 | 60(50) | (1.25-80)·107 | 77·10-11 | 1.1·109(2.97·10-1) | ||||
2 | BIP-R1 | 60(56) | 10(7) | 3 | 7.6·107 | 1.6·10-11 | 1.1·109(2.97·10-2) | |
BIP-R2 | 3.1·107 | 1.2·10-10 | 3.0·109(8.1·10-2) | |||||
3 | BIP-К1 | 63( see fig.3) | 29(see fig.3) | 3.6·107 | 1.6·10-11 | 4.5·109(1.22·10-2) | ||
BIP-К2 | 1.7·108 | 3.9·10-11 | 1.9·109(5.13·10-2) | |||||
4 | BIP-7 | 12.7(4) | 19 | 1.9·107 | 1.6·10-11 | 7.4·109(2.00·10-2) | ||
5 | BIP-М | 6(3) | 7 | 7·107 | 1.6·10-11 | 3.7·109(1.00·10-2) | ||
6 | BIP 50х150 | 160(150) | 60(50) | 5 | (6.0-12)·108 | 20·10-10 | 5.2·1010 (1.41) |
注意:源的質(zhì)控符合ISO99/C/24141(ISO2919)。源的泄漏測(cè)試是根據(jù)ISO9978來(lái)做的,通過(guò)干擦非活性面,符合限值185Bq(約5nCi)。
Pm-147
β源(M,R)
主要技術(shù)參數(shù):源設(shè)計(jì)成上釉的鋼背板,Pm-147活性材料沉淀在該背板的工作面上,并由一層二氧化鈦保護(hù)層固定。該源設(shè)計(jì)使用壽命為從出廠之日起10年。
應(yīng)用:同位素儀器,離子生成器,靜電消除器
注意:源的質(zhì)控符合ISO99/C/34141(ISO2919)。源的泄漏測(cè)試是根據(jù)ISO9978來(lái)做的,通過(guò)干擦非活性面,符合限值185Bq(約5nCi)。
1. BIP-N-1,BIP-N-2源
源編碼 | 源尺寸(活性面),mm | 表面β發(fā)射率(不少于),S-1 | 距源表面0.5m(不超過(guò))處X射線和γ輻射劑量率,A/kg | 最大Pm-147活度,Bq(Ci) | ||
長(zhǎng),L(l) | 寬,W(w) | 高,H | ||||
BIP-N1 | 70.95 (60) |
35.8 (25) | 2.8 | 4.1·108 | 1.3·10-11 | 4.0·109(10.8·10-2) |
BIP-N2 | 1.2·109 | 6.5·10-11 | 2.0·1010(0.54) |
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