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產(chǎn)品中心

Pm-147

β源(M,R)
主要技術(shù)參數(shù):源組成部分包括一個(gè)蓋子,一個(gè)主體和一個(gè)嵌入源裝置的上釉的插件, Pm-147活性材料沉積在插件的工作面上并用二氧化鈦或鍍鉻保護(hù)層固定起來(lái)。主體和蓋子通過(guò)點(diǎn)焊連接。該源設(shè)計(jì)使用壽命為從出廠之日起5年。

應(yīng)用:同位素儀器,離子生成器,靜電消除器


源編碼 源尺寸(活性面),mm 表面β發(fā)射率,S-1 0.5m(不超過(guò))處X射線和γ輻射劑量率, A/kg 最大活度,Bq(Ci)
直徑,D(d) 長(zhǎng),L(l) 寬,W(w) 高,H
1 BIP-10 20(10)     3 (1.25-20)·107 6.2·10-11 1.2·109(3.24·10-2)
BIP-20 30(20)     (1.25-50)·107 27·10-11 2.8·109(7.6·10-2)
BIP-30 40(30)     (1.25- 63)·107 54·10-11 5.9·109(15.9·10-2)
BIP-40 50(40)     (1.25-80)·107 77·10-11 1.1·109(2.97·10-1)
BIP-50 60(50)     (1.25-80)·107 77·10-11 1.1·109(2.97·10-1)
2 BIP-R1   60(56) 10(7) 3 7.6·107 1.6·10-11 1.1·109(2.97·10-2)
BIP-R2 3.1·107 1.2·10-10 3.0·109(8.1·10-2)
3 BIP-К1   63( see fig.3) 29(see fig.3) 3.6·107 1.6·10-11 4.5·109(1.22·10-2)
BIP-К2 1.7·108 3.9·10-11 1.9·109(5.13·10-2)
4 BIP-7 12.7(4)     19 1.9·107 1.6·10-11 7.4·109(2.00·10-2)
5 BIP-М 6(3)     7 7·107 1.6·10-11 3.7·109(1.00·10-2)
6 BIP 50х150   160(150) 60(50) 5 (6.0-12)·108 20·10-10 5.2·1010 (1.41)

注意:源的質(zhì)控符合ISO99/C/24141(ISO2919)。源的泄漏測(cè)試是根據(jù)ISO9978來(lái)做的,通過(guò)干擦非活性面,符合限值185Bq(約5nCi)。

Pm-147
β源(M,R)
主要技術(shù)參數(shù):源設(shè)計(jì)成上釉的鋼背板,Pm-147活性材料沉淀在該背板的工作面上,并由一層二氧化鈦保護(hù)層固定。該源設(shè)計(jì)使用壽命為從出廠之日起10年。

應(yīng)用:同位素儀器,離子生成器,靜電消除器

注意:源的質(zhì)控符合ISO99/C/34141(ISO2919)。源的泄漏測(cè)試是根據(jù)ISO9978來(lái)做的,通過(guò)干擦非活性面,符合限值185Bq(約5nCi)。

1.  BIP-N-1,BIP-N-2源
 

源編碼 源尺寸(活性面),mm 表面β發(fā)射率(不少于),S-1 距源表面0.5m(不超過(guò))處X射線和γ輻射劑量率,A/kg 最大Pm-147活度,Bq(Ci)
長(zhǎng),L(l) 寬,W(w) 高,H
BIP-N1 70.95
(60)
35.8 (25) 2.8 4.1·108 1.3·10-11 4.0·109(10.8·10-2)
BIP-N2 1.2·109 6.5·10-11 2.0·1010(0.54)

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